摘要：大功率壓接型IGBT器件更適合柔性直流輸電裝備應用工況,必然對壓接型絕緣柵極晶體管(IGBT)器件可靠性評估提出要求。提出計及內部材料疲勞的壓接型IGBT器件可靠性建模方法,首先,建立單芯片壓接型IGBT器件電–熱–機械多物理場仿真模型,通過實驗驗證IGBT仿真模型的有效性;其次,考慮器件內部各層材料的疲勞壽命,建立單芯片壓接型IGBT器件可靠性模型,分析了單芯片器件各層材料薄弱點;最后針對多芯片壓接型IGBT器件實際結構,建立多芯片壓接型IGBT器件多物理場仿真模型,分析器件應力分布,并對各芯片及多芯片器件故障率進行計算。結果表明,壓接型IGBT器件內部的溫度、von Mises應力分布不均,最大值分別位于IGBT芯片和發射極鉬層接觸的輪廓線邊緣;多芯片器件內應力分布不均會導致各芯片可靠性有所差異,邊角位置處芯片表面應力最大,可靠性最低。