摘要：隨著航天遙感領(lǐng)域?qū)Ψ直媛省⒏咚賯鬏敗⒌凸姆矫嫘枨蟮奶岣?基于電荷累加的TDICMOS探測(cè)器應(yīng)運(yùn)而生。該探測(cè)器無(wú)論在工藝上還是探測(cè)器結(jié)構(gòu)上均與TDICCD和傳統(tǒng)數(shù)字累加的CMOS器件有著本質(zhì)的不同。因此,許多關(guān)于探測(cè)器性能參數(shù)的測(cè)試方法無(wú)法適用于電荷累加的TDICMOS。本文基于電荷累加TDICMOS的自身特性,先后提出了關(guān)于電荷-DN轉(zhuǎn)換因子、滿(mǎn)阱電荷、電荷轉(zhuǎn)移效率、讀出噪聲等參數(shù)的新測(cè)試方法,同時(shí)搭建TDICMOS測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)證明了上述測(cè)試方法的正確性和工程可實(shí)現(xiàn)性,為今后TDICMOS工程應(yīng)用提供了重要依據(jù)。