摘要：采用固相反應法制備PbO和Nb2O5共摻雜的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了CCTO巨介電效應機理.通過XRD,SEM,介電頻譜及阻抗譜等測試手段,分析純CCTO陶瓷,PbO摻雜的CCTO陶瓷和PbO、Nb2O5共摻雜CCTO陶瓷的微觀結構及介電性能,研究結果表明:摻雜PbO可以顯著降低CCTO陶瓷的介電損耗,摻雜摩爾分數2%PbO的CCTO陶瓷的介電損耗從0.13下降到0.03,但其介電常數也顯著下降;摩爾分數2%PbO和0.25%Nb2O5共摻雜的CCTO陶瓷,在0.1~1 kHz頻率范圍內相對介電常數高達4.6×10^4~5.5×10^4,而介電損耗只有0.09左右,且摩爾分數2%PbO和0.5%Nb2O5共摻雜的CCTO陶瓷的相對介電常數在4×10^4左右.因此,PbO和Nb2O5共摻雜可以在增加CCTO陶瓷介電常數的同時降低其介電損耗.結合阻抗譜分析表明,CCTO陶瓷的介電損耗在低頻下由晶界電阻決定,在高頻下主要受晶粒電容的影響,而介電常數的大小取決于晶粒尺寸和晶界極化,符合IBLC模型.