表面處理降低GaAs界面態(tài)密度的研究
作者：肖和平; 王瑞瑞 揚州乾照光電有限公司; 江蘇揚州225101
摘要：GaAs材料經(jīng)機械研磨后,表層形成粗糙界面,用酸堿法表面處理GaAs,使Ga-O、As-O鍵斷裂并修復粗糙界面,處理效果通過電導法測量界面態(tài)密度與XPS分析界面化合物價態(tài)來表征。結(jié)果表明酸堿處理均可降低界面態(tài)密度與表面Ga、As氧化物,且酸處理的效果優(yōu)于堿處理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面態(tài)密度的降低可能主要與Ga化合物的減少相關(guān)。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
電子器件雜志
電子器件雜志， 雙月刊，本刊重視學術(shù)導向，堅持科學性、學術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：真空電子學、微波電子學、光電子學、電子顯示技術(shù)、激光與紅外技術(shù)、半導體物理與器件、集成電路與微電子技術(shù)、光纖技術(shù)等。于1978年經(jīng)新聞總署批準的正規(guī)刊物。
- 統(tǒng)計源期刊
- 1-3個月審核
