硅上的石墨烯-AlGaN納米錐陣列
摘要：挪威和德國的研究人員在硅上使用石墨烯掩模生長出了氮化鋁鎵(AlGaN)納米錐陣列。發(fā)表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德國馬克斯-普朗克學(xué)會光學(xué)所、德國亥姆霍茲柏林能源與材料中心、挪威科技大學(xué)(NTNU)和挪威科技工業(yè)研究院(SINTEF)的研究團(tuán)隊看到了該材料在紫外(UV)發(fā)光二極管,光電探測器和激光器的潛在應(yīng)用價值。他們希望這種材料能夠克服由晶格和熱膨脹不匹配引起的缺陷的平面III族氮化物結(jié)構(gòu)的問題。石墨烯可以實現(xiàn)準(zhǔn)范德華外延,避免懸掛化學(xué)鍵引起的問題。
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半導(dǎo)體信息雜志
半導(dǎo)體信息雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動態(tài)等。于1990年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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