一種采用開關電容分割結構的分辨率可配置SAR ADC
作者：居水榮; 劉晨威; 華秀琴; 劉康建; 朱樟明 江蘇信息職業技術學院微電子學院; 江蘇無錫214153; 西安電子科技大學微電子學院; 西安710071
摘要：基于開關電容分割結構設計并實現了一種分辨率為6~10 bit可配置的逐次逼近寄存器型(SAR)模數轉換器(ADC)。對這種電容分割結構的功耗性能、靜態非線性以及電源噪聲抑制模型等進行了詳細分析,并與其他開關電容結構進行了比較。采用0.18μm CMOS工藝完成了分辨率可配置SAR ADC的流片,其核心部分芯片面積僅為360μm×550μm。測試結果表明,該ADC覆蓋了6~10 bit分辨率,電源電壓為0.5~0.9 V。在6,8和10 bit分辨率模式下,該ADC的功耗分別為10.8,16.1和22.4μW,微分非線性誤差為0.16最低有效位(LSB)、積分非線性誤差只有0.1 LSB。該ADC實現了分辨率、電源電壓等參數的可配置。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
半導體技術雜志
半導體技術雜志， 月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：趨勢與展望、半導體集成電路、半導體器件、半導體制備技術、先進封裝技術等。于1976年經新聞總署批準的正規刊物。
- 北大期刊
- 統計源期刊
- 1-3個月審核